| 1 | 1061430270 | 日 | | 半導体工学I | 岡田 成仁 [OKADA Narihito] | 前期 | 水5～6 |
| 2 | 1061440060 | 日 | | 電磁気学基礎 | 岡田 成仁 [OKADA Narihito] | 前期後半 | 火5～8 |
| 3 | 1062420180 | 日 | | アナログ回路 | 岡田 成仁 [OKADA Narihito] | 後期 | 水1～2 |
| 4 | 1062430250 | 日 | | 電気電子工学応用実験II | FENG SHUANGYUAN, 中島 翔太 [Nakashima Shota], 山田 洋明 [YAMADA Hiroaki], 若佐 裕治 [WAKASA Yuji], 堀田 昌志 [HOTTA Masashi], 岡田 成仁 [OKADA Narihito], 西藤 聖二 [NISHIFUJI Seiji], 倉井 聡 [KURAI Satoshi], 村田 卓也 [MURATA Takuya] | 後期 | 月5～10,木5～10 |
| 5 | 3261412030 | 日 | | 高度ものづくり創成演習Ⅰ | 浅田 裕法 [ASADA Hironori], 櫛屋 勝巳 [KUSHIYA Katsumi], 岡田 成仁 [OKADA Narihito] | 前期集中 | 集中 |
| 6 | 3261420080 | 日 | | デバイス工学特論 | 岡田 成仁 [OKADA Narihito] | 前期 | 月3～4 |
| 7 | 3262420670 | 日 | | 半導体プロセス工学特論Ⅱ | 岡田 成仁 [OKADA Narihito] | 後期前半 | 月7～8 |
| 8 | 4261320320 | 日 | | 窒化物半導体デバイス工学特論 | 岡田 成仁 [OKADA Narihito] | 前期 | 未定 |
| 9 | 4263320320 | 日 | | 窒化物半導体デバイス工学特論 | 岡田 成仁 [OKADA Narihito] | 通年(秋) | 未定 |
| 10 | 4263320320 | 日 | | 窒化物半導体デバイス工学特論 | 岡田 成仁 [OKADA Narihito] | 通年(秋) | 未定 |