タイトル

開講年度 開講学部等
2025 工学部
開講学期 曜日時限 授業形態 AL（アクティブ・ラーニング）ポイント
後期 水3～4 講義  
時間割番号 科目名[英文名] 使用言語 単位数
1062430280 半導体工学II[Semiconductor Electronics II] 日本語 2
担当教員（責任）[ローマ字表記] メディア授業
倉井 聡[KURAI Satoshi] ー
担当教員[ローマ字表記]
倉井 聡　[KURAI Satoshi]
特定科目区分   対象学生   対象年次 3～
ディプロマ・ポリシーに関わる項目 カリキュラムマップ(授業科目とDPとの対応関係はこちらから閲覧できます)
授業の目的と概要
半導体を応用した電子デバイス及び発光・受光デバイスを理解する上で必要となる基礎的事項について復習し、これらのデバイスの動作原理について解説する。半導体物性の基礎を理解し、半導体を応用した各種電子デバイスの動作原理を説明できるまでその理解度を高める。
授業の到達目標
半導体物性の基礎を理解し、半導体を応用した各種電子デバイスの動作原理を説明できるまでその理解度を高める。
１．半導体の電気伝導性をバンド構造から理解する。
２．ｐｎ接合、ダブルヘテロ接合、ショットキー接触、オーミック接触のエネルギーバンド図が自分で書くことができる。
３．バイポーラトランジスタの動作原理を、自分でエネルギーバンド図を書いて説明ができる。
４．バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ接地、ベース接地、コレクター接地の夫々の増幅機構について説明できる。
５．MOSFETの動作原理を、自分でエネルギーバンド図を書いて説明ができる。
６．接合型FETの動作原理を、自分でエネルギーバンド図を書いて説明ができる。
７．受光素子の動作原理を理解し、自分でエネルギーバンド図を書いて説明ができる。
８．発光デバイスの動作原理を理解し、自分でエネルギーバンド図を書いて説明ができる。
授業計画
【全体】
下記の授業計画の内容に従って講義を進めるとともに、各項目に関連した課題を与える。
項目 内容 授業時間外学習 備考
第1回 半導体のバンド構造 半導体のバンド構造について説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第2回 半導体の電気伝導機構 半導体の電気伝導機構について説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第3回 ｐｎ接合とショットキー接触 ｐｎ接合とショットキー接触について説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第4回 ショットーキー接触とオーミック接触 ショットーキー接触とオーミック接触について説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第5回 エネルギーバンド図の作図 エネルギーバンド図の作図について説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第6回 バイポーラトランジスタ① バイポーラトランジスタについて説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第7回 バイポーラトランジスタ② バイポーラトランジスタについて説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第8回 MOSFET① MOSFETについて説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第9回 MOSFET② MOSFETについて説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第10回 接合型FET 接合型FETについて説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第11回 受光素子 受光素子について説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第12回 LED LEDについて説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第13回 白色LED 白色LEDについて説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第14回 半導体レーザ 半導体レーザについて説明する。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第15回 期末試験 期末試験 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
第16回 期末試験の解説 試験問題に関する基本事項の確認を行う。 予習・復習（学修時間の目安：４時間以上）
※AL（アクティブ・ラーニング）欄に関する注
・授業全体で、AL（アクティブ・ラーニング）が占める時間の割合を、それぞれの項目ごとに示しています。
・A〜Dのアルファベットは、以下の学修形態を指しています。
【A：グループワーク】、【B：ディスカッション・ディベート】、【C：フィールドワーク（実験・実習、演習を含む）】、【D：プレゼンテーション】
A: --%　B: --%　C: --%　D: --%
成績評価法
期末試験の成績で評価する。試験は理解度を評価するための説明を求める課題で構成される。欠席は欠格条件とする。
学期末の筆記テスト　１００％
教科書にかかわる情報
教科書 書名 電子デバイスの基礎と応用 ISBN 9784782855553
著者名 長谷川文夫 出版社 産業図書 出版年
備考
参考書にかかわる情報
参考書 書名 半導体工学（第３版） ISBN 9784627710443
著者名 高橋清、山田陽一 出版社 森北出版 出版年
参考書 書名 図解による半導体デバイスの基礎 ISBN 9784339006322
著者名 玉井照雄 出版社 コロナ社 出版年
備考
メッセージ
キーワード
半導体、LED、LD、トランジスタ
持続可能な開発目標（SDGs）

  • エネルギーをみんなに そしてクリーンに
  • 産業と技術革新の基盤をつくろう
(エネルギー)すべての人々の、安価かつ信頼できる持続可能な近代的エネルギーへのアクセスを確保する。
(インフラ、産業化、イノベーション)強靱（レジリエント）なインフラ構築、包摂的かつ持続可能な産業化の促進及びイノベーションの推進を図る。
関連科目
半導体工学Ⅰ
履修条件
連絡先
kurai〈at〉yamaguchi-u.ac.jp
※〈at〉は@
オフィスアワー
事前にメール連絡のこと

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