山口大学教務システム - 3261320040-結晶工学特論

開講年度	開講学部等
2025	大学院創成科学研究科（博士前期）
開講学期	曜日時限	授業形態	AL（アクティブ・ラーニング）ポイント
前期	火3～4	講義
時間割番号	科目名[英文名]			使用言語	単位数
3261320040	結晶工学特論[Advanced Crystal Engineering]			日本語	2
担当教員（責任）[ローマ字表記]					メディア授業
麻川明俊[ASAKAWA Harutoshi]					ー
担当教員[ローマ字表記]
麻川明俊　[ASAKAWA Harutoshi]
特定科目区分		対象学生		対象年次
ディプロマ・ポリシーに関わる項目			カリキュラムマップ(授業科目とDPとの対応関係はこちらから閲覧できます)

授業の目的と概要

結晶成長のメカニズム、結晶成長方法、育成結晶の評価、結晶の応用等について学び、材料工学の基礎的知識を修得する。

授業の到達目標


結晶成長の基本的なメカニズムを説明できる。結晶成長の評価方法を説明できる。物質の生成を結晶成長メカニズムから説明できる。結晶成長学の観点から修士論文で研究している材料の合成及び物性制御を意欲的に議論できる。

授業計画

【全体】

前半は結晶成長のメカニズムについて講義をし、後半は育成結晶の評価、応用及び市場等について講義及び具体的な研究例についても紹介する

	項目	内容	授業時間外学習	備考

第1回	結晶成長イントロダクション	結晶成長とは？	復習(学修時間の目安：４時間以上)

第2回

結晶成長メカニズムI

核生成

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第3回

結晶成長メカニズムII

結晶成長の導入（均一核生成後の話）

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第4回

結晶成長メカニズムIII

渦巻き成長

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第5回

結晶成長メカニズムⅣ

二次元核生成

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第6回

結晶成長メカニズムV

付着成長

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第7回

結晶成長メカニズムⅥ

成長まとめ

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第8回

酸化物単結晶の育成

LiNBO3,
Borate crystal の育成法を学ぶ

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第9回

酸化物単結晶育成の研究の紹介

実際のほう酸塩育成と評価を学ぶ

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第10回

Siの結晶成長

半導体及び太陽電池Siの育成法と評価を学ぶ

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第11回

化合物半導体の結晶成長

化合物半導体の単結晶育成と評価を学ぶ

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第12回

半導体の応用と市場

Si,化合物半導体の市場と日本の状況について学ぶ

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第13回

結晶成長機構を利用した省エネルギー型製造研究Ⅰ

結晶成長機構改善による低コストセメント製造研究

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第14回

結晶成長機構を利用した省エネルギー型製造研究Ⅱ

結晶成長機構改善による低コストセラミックス製造研究

復習(学修時間の目安：４時間以上)

第15回

まとめ

１－１４までのまとめ

復習(学修時間の目安：４時間以上)

※AL（アクティブ・ラーニング）欄に関する注
・授業全体で、AL（アクティブ・ラーニング）が占める時間の割合を、それぞれの項目ごとに示しています。
・A〜Dのアルファベットは、以下の学修形態を指しています。
【A：グループワーク】、【B：ディスカッション・ディベート】、【C：フィールドワーク（実験・実習、演習を含む）】、【D：プレゼンテーション】