山口大学教務システム - 3261420080-デバイス工学特論

開講年度	開講学部等
2025	大学院創成科学研究科（博士前期）
開講学期	曜日時限	授業形態	AL（アクティブ・ラーニング）ポイント
前期	月3～4	講義
時間割番号	科目名[英文名]			使用言語	単位数
3261420080	デバイス工学特論[Advanced Electronics Devices]			日本語	2
担当教員（責任）[ローマ字表記]					メディア授業
岡田成仁[OKADA Narihito]					ー
担当教員[ローマ字表記]
岡田成仁　[OKADA Narihito]
特定科目区分		対象学生		対象年次
ディプロマ・ポリシーに関わる項目			カリキュラムマップ(授業科目とDPとの対応関係はこちらから閲覧できます)

授業の目的と概要

S.M.Sze著のSemiconductor Devices、窒化物半導体に関するJournalをベースに基礎的な半導体デバイス・半導体結晶の知識を習得する。それら文献で出てくる数式をMathematicaを用いて計算できることを目的とする。学術論文で用いられる基礎的な英単語・英文法も学習し英文のジャーナルを自ら書き上げる英語力を養う。

授業の到達目標

半導体デバイス・半導体結晶の基礎を習得する。
自主的な学習形態によりMathematica/Pysonなどのプログラミングを用いた解析手法を習得する。
英文Journalをベースとした授業により、英文ジャーナルを読む、自ら書き上げる能力を身につける。
講義最終時にとし、プレゼンテーション能力を養い、学生同士のディスカッションを通じて技術コミュニケーション能力を身につける。

授業計画

【全体】

＊S.M.Sze著のSemiconductor Devices、窒化物半導体に関するJournalを用いた半導体デバイス・半導体結晶の基礎を習得する
＊S.M.Sze著のSemiconductor Devices、窒化物半導体に関するJournalに登場する数式ををプログラミング（Mathematica,Physonなど）用いた数値計算を習得する
＊S.M.Sze著のSemiconductor Devices、窒化物半導体に関するJournalをベースとして、Journalを自ら書き上げる英語能力を身につける

	項目	内容	授業時間外学習	備考

第1回	ガイダンス	デバイス工学特論の授業に関する説明を行う。	復習・課題（学修時間の目安：４時間以上）

第2回

S.M.Sze著のSemiconductor Devices第一章半導体デバイスの基礎

プログラミング（Mathematica,Physonなど）の基礎

復習・課題（学修時間の目安：４時間以上）

第3回

S.M.Sze著のSemiconductor Devices第一章半導体デバイスの基礎

プログラミング（Mathematica,Physonなど）の基礎

復習・課題（学修時間の目安：４時間以上）

第4回

S.M.Sze著のSemiconductor Devices第一章半導体デバイスの基礎

の基礎

S.M.Sze著のSemiconductor Devices第一章半導体デバイスの基礎

プログラミング（Mathematica,Physonなど）の基礎

復習・課題（学修時間の目安：４時間以上）

第5回

S.M.Sze著のSemiconductor Devices第９章　発光デバイス

プログラミング（Mathematica,Physonなど）による数値計算

復習・課題（学修時間の目安：４時間以上）

第6回

S.M.Sze著のSemiconductor Devices第９章　発光デバイス

プログラミング（Mathematica,Physonなど）による数値計算

復習・課題（学修時間の目安：４時間以上）

第7回

S.M.Sze著のSemiconductor Devices第９章　発光デバイス

プログラミング（Mathematica,Physonなど）による数値計算

復習・課題（学修時間の目安：４時間以上）

第8回

S.M.Sze著のSemiconductor Devices第９章　発光デバイス

プログラミング（Mathematica,Physonなど）による数値計算

復習・課題（学修時間の目安：４時間以上）

第9回

S.M.Sze著のSemiconductor Devices第９章　発光デバイス

プログラミング（Mathematica,Physonなど）による数値計算

復習・課題（学修時間の目安：４時間以上）

第10回