山口大学教務システム - 3261420660-半導体プロセス工学特論Ⅰ

開講年度	開講学部等
2025	大学院創成科学研究科（博士前期）
開講学期	曜日時限	授業形態	AL（アクティブ・ラーニング）ポイント
前期前半	金3～4	講義
時間割番号	科目名[英文名]			使用言語	単位数
3261420660	半導体プロセス工学特論Ⅰ[Advanced Semiconductor Processes I]			日本語	1
担当教員（責任）[ローマ字表記]					メディア授業
倉井聡[KURAI Satoshi]					ー
担当教員[ローマ字表記]
倉井聡　[KURAI Satoshi], 大岩烈　[OHIWA Retsu]
特定科目区分		対象学生		対象年次
ディプロマ・ポリシーに関わる項目			カリキュラムマップ(授業科目とDPとの対応関係はこちらから閲覧できます)

授業の目的と概要

本講義では、各種の成膜手法の原理や特徴について学ぶとともに、作製した薄膜の界面や組成といった評価技術について学ぶ。

授業の到達目標


・薄膜の成長の基礎を理解する。・各種薄膜作製法と特徴、並びに装置構成を理解する。・評価に必要な測定法の原理と特徴を理解する。・半導体の作製技術の興味を持つ。

授業計画

【全体】

膜形成の基本物性について解説した後、各種の成膜手法の原理や特徴について解説する。さらに作製した薄膜の界面や組成といった薄膜評価方法について、どのような手法があるかと夫々の特徴について解説する。

	項目	内容	授業時間外学習	備考

第1回	薄膜成長の基礎	薄膜の基礎である形成機構・成長過程を解説します。	授業計画に沿って、準備学習を２時間と復習２時間行う

第2回

各種成長技術

各種の成長方法とその特徴について解説します。

授業計画に沿って、準備学習を２時間と復習２時間行う

第3回

PVD(1)　－蒸着－

真空蒸着の原理について述べたのち、装置構造と特徴について解説します。

授業計画に沿って、準備学習を２時間と復習２時間行う

第4回

PVD(2)　－スパッタ－

スパッタリング法についてスパッタの基礎を解説した後、装置構造と特徴について解説します。

授業計画に沿って、準備学習を２時間と復習２時間行う

第5回

CVD

CVDの原理について述べたのち、装置構造と特徴について解説します。

授業計画に沿って、準備学習を２時間と復習２時間行う

第6回

表面界面分析技術（1）

デバイス開発における表面・界面分析技術の役割・動向について，LSIの製造プロセスを例に解説します。

授業計画に沿って、準備学習を２時間と復習２時間行う

第7回

表面界面分析技術（2）

微量分析技術や微小領域分析技術，薄膜・界面分析（深さ方向分析）技術について解説します。

授業計画に沿って、準備学習を２時間と復習２時間行う

第8回

薄膜評価と計測

平滑性，組成，構造および力学特性など薄膜の基本的な特性を評価する手法や装置について紹介します。

授業計画に沿って、準備学習を２時間と復習２時間行う

※AL（アクティブ・ラーニング）欄に関する注
・授業全体で、AL（アクティブ・ラーニング）が占める時間の割合を、それぞれの項目ごとに示しています。
・A〜Dのアルファベットは、以下の学修形態を指しています。
【A：グループワーク】、【B：ディスカッション・ディベート】、【C：フィールドワーク（実験・実習、演習を含む）】、【D：プレゼンテーション】

A: --%　B: --%　C: --%　D: --%

成績評価法

宿題・レポート100％

教科書にかかわる情報

備考

配布プリント

参考書にかかわる情報

備考

メッセージ

キーワード

PVD、CVD、表面分析

持続可能な開発目標（SDGs）

(インフラ、産業化、イノベーション)強靱（レジリエント）なインフラ構築、包摂的かつ持続可能な産業化の促進及びイノベーションの推進を図る。

メディア授業