開講年度
開講学部等
2025
大学院創成科学研究科（博士後期）
開講学期
曜日時限
授業形態
AL（アクティブ・ラーニング）ポイント
通年(秋)
未定
時間割番号
科目名[英文名]
使用言語
単位数
4263320320
窒化物半導体デバイス工学特論[Advanced Nitride Semiconductor Devices]
日本語
2
担当教員（責任）[ローマ字表記]
メディア授業
岡田 成仁[OKADA Narihito]
ー
担当教員[ローマ字表記]
岡田 成仁 [OKADA Narihito]
特定科目区分
対象学生
対象年次
ディプロマ・ポリシーに関わる項目
カリキュラムマップ(授業科目とDPとの対応関係はこちらから閲覧できます)
メディア授業
×
メディア授業とは，メディアを利用して遠隔方式により実施する授業の授業時数が，総授業時数の半数を超える授業をいいます。
メディア授業により取得した単位は，卒業要件として修得すべき単位のうち60単位を超えないものとされています。
授業の目的と概要
窒化物半導体のデバイスにおける、これまでの歴史と最先端技術について学ぶ。
授業の到達目標
窒化物半導体を用いたデバイスについて基礎的な半導体工学の知識を習得する。最新の英文ジャーナルを用いて、最先端のデバイス構造について理解し、その構造の利点・欠点を教員とのディスカッションを行う。最終的には学生個人が新たなデバイス設計ができるようになる。
授業計画
【全体】
自発的な文献調査・プレゼンテーション・ディスカッションを主体とし、窒化物半導体のLED、LD、電子デバイスの性能・構造を理解する。そして、自ら窒化物半導体のLED、LD、電子デバイスの性能・構造の提案ができるようになる。
項目
内容
授業時間外学習
備考
第1回
オリエンテーション
授業形態の説明
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第2回
発光デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第3回
発光デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第4回
発光デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第5回
発光デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第6回
発光デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第7回
発光デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第8回
電子デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第9回
電子デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第10回
電子デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第11回
電子デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第12回
電子デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第13回
電子デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第14回
電子デバイス
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
第15回
総括
文献調査＆プレゼンテーション＆ディスカッション
文献調査・整理（予習・復習4h以上）
※AL（アクティブ・ラーニング）欄に関する注
・授業全体で、AL（アクティブ・ラーニング）が占める時間の割合を、それぞれの項目ごとに示しています。
・A〜Dのアルファベットは、以下の学修形態を指しています。
【A：グループワーク】、【B：ディスカッション・ディベート】、【C：フィールドワーク（実験・実習、演習を含む）】、【D：プレゼンテーション】
A: --% B: --% C: --% D: --%
成績評価法
出席、授業後のレポートで評価します。
出席 50％、レポート 50％
教科書にかかわる情報
教科書
書名
ポストシリコン半導体
ISBN
9784864690591
著者名
計57名
出版社
NTS
出版年
20
備考
購入の必要はありません。
参考書にかかわる情報
備考
メッセージ
キーワード
持続可能な開発目標（SDGs）
(貧困)あらゆる場所のあらゆる形態の貧困を終わらせる。
(水・衛生)すべての人々の水と衛生の利用可能性と持続可能な管理を確保する。
関連科目
履修条件
連絡先
岡田成仁
nokada@yamaguchi-u.ac.jp
メールにて問い合わせください。
件名：窒化物半導体デバイス工学特論
本文：宛先、内容、氏名、署名
を忘れないようにお願いします。
オフィスアワー
岡田成仁
nokada@yamaguchi-u.ac.jp
メールにて問い合わせください。
件名：窒化物半導体デバイス工学特論
本文：宛先、内容、氏名、署名
を忘れないようにお願いします。
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